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베렉스, IoT FEM 신제품 출시베렉스는 RF 설계 기술로 RF Front-End Module (송수신 겸용 SoC의 입출력 신호 처리 부분을 집적화한 모듈) PA (Power Amplifier)와 LNA (Low Noise Amplifier), RF Switch (SPDT 또는 SP3T)를 하나의 IC로 직접화해 만든 제품 8TR8217, 8TR8218, 8TR8219 를 출시했다. 8TR8217, 8TR8218, 8TR8219은 2.4GHz (2.4GHz-2.485GHz) 대역에서 802.15.4 ZigBee®/Bluetooth®/Thread/Matter용 ISM 무선 프로토콜 시스템용 소형 다기능 Front-End RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit)이다.또한 2.2V ~ 4.0V의 넓은 전압 범위에서 작동하며 배터리 구동 무선 시스템을 포함한 다양한 애플리케이션에 적합하도록 향상된 효율로 배터리 동작에 최적화돼 있다. 8TR8217, 8TR8218, 8TR8219는 Transmit Power Amplifier (PA), Receive Low Noise Amplifier (LNA), Single Pole Tripple throw (SPDT 또는 SP3T) Transmit Receive (T/R) Switch 와 SP3T Antenna Switch, Bypass 기능이 내장된 제품이며, 세 제품 모두 3.0 x 3.0 x 0.45mm 16 Lead QFN Package다.또한, 입력과 출력 매칭이 내장돼 있는 회로여서 추가 부품 없이 사용이 가능해 고객 입장에서 제작 비용 최소화 및 소형화가 가능하다. 또한 3.3V의 공급전압에서 최대 +23dBm의 출력을 낸다. 8TR8218은 RX current mode 선택 기능이 있어 사용자가 이득, 전류, 잡음지수를 선택할 수 있다. 8TR8219는 5.5mA의 낮은 RX 전류 및 1.9dB의 낮은 잡음지수를 제공하며 8TR8217은 12mA의 RX 전류에 1.6dB의 초저 잡음지수를 제공한다.8TR8217, 8TR8218, 8TR8219의 장점은 1.6dB~1.9dB로 낮은 잡음지수다. 이는 경쟁사 잡음지수 규격 2.5~3.0dB보다 매우 우수한 특성이기에 IoT 수신기 회로에 큰 장점으로 작용한다. 또한 8TR8217, 8TR8218, 8TR8219 모두 송신 전력 23dBm 출력 시 160mA, 20dBm 출력 시 90mA이다. 수신 부 전류는 8TR8217의 경우 12mA, 8TR8218의 경우 12mA와 5.5mA를 모드 선택으로 사용할 수 있으며, 8TR8219는 5.5mA이다. 12mA 전류소모 시 1.6dB 잡음지수로 사용이 가능하다.아울러 8TR8217, 8TR8218, 8TR8219 세 제품 모두 -40℃~ 125℃의 넓은 동작 온도를 보증함으로써 높은 신뢰성을 제공한다. 현재 IoT Front-End Module 은 수입에 의존하고 있으며, 이번 국산화 개발을 통해 IoT 시장부터 국산화가 확대될 것으로 기대된다.베렉스는 이번 성과를 계기로 글로벌 기업이 독점하고 있는 IoT FEM 시장 진입을 목표로 하고 있다.또한 베렉스는 RF 설계 기술을 이용해 802.15.4 ZigBee®/Bluetooth®/Thread/Matter외 Sigfox, RoLa, WiSUN, UWB, Wi-Fi HaLow에 사용 가능한 IoT FEM 제품을 출시해 세계 정상급 RF Semiconductor 회사 진입 목표를 갖고 있다. 웹사이트: https://www.berex.com/
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베렉스, 50-5000MHz 광대역 Flat Gain 증폭기 ‘BBA31’ 개발베렉스가 GaAs E-pHEMT 기술로 50-5000MHz 대역에서 LTE/ 5G 통신에 적합한 고 선형성 증폭기 BBA31을 출시했다. BBA31은 matching 소자를 최소화해 사용할 수 있도록 내부에 50ohm으로 matching돼 있고, ROHS2 규정을 만족시키며 DFN 8L 2x2mm2 surface mounting package를 사용해 소형화했다. 베렉스 마케팅팀 신헌수 부장은 “BBA31는 LTE, 5G NR 통신을 목표로 소형으로 개발됐으며 5V에서 사용 가능하다”고 설명했다. 5V 사용 시 100MHz에서 특성은 15dB 이득, 40dBm 출력 선형성 OIP3, 21.8dBm 출력 P1, -50 dBc 특성 만족은 13.4dBm LTE 20MHz ACLR을 보이고, 3500MHz에서 특성은 14.5dB 이득, 37dBm 출력 선형성 OIP3, 20.9dBm 출력 P1, -50 dBc 특성 만족은 10.6dBm 5GNR ACLR을 보인다. 현재는 5G용 기지국 및 중계기용 부품이 수입 의존도가 높으나, 이번 국산화 개발을 통해 통신 시장에서 국산화가 확대될 것으로 기대된다. 베렉스는 RF용 갈륨비소, 갈륨질소, 실리콘-게르마니움 및 CMOS 기술을 이용해 통신용 부품을 개발해 세계 정상급 RF 반도체(Semiconductor) 회사로 진입 목표를 갖고 있다. 웹사이트: https://www.berex.com
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베렉스, IoT FEM 신제품 출시베렉스가 2.4GHz ZigBee®/Bluetooth®/Thread/Matter용 multi-function IoT Front End RFIC 제품을 선보인다. 베렉스는 RF 설계 기술로 RF Front-End Module(FEM)(송수신 겸용 SoC의 입출력 신호 처리 부분을 집적화한 모듈) PA (Power Amplifier)와 LNA (Low Noise Amplifier), RF Switch(SPDT)를 하나의 IC로 직접화해 만든 제품 ‘8TR8218’, ‘8TR8219’를 출시한다고 밝혔다.8TR8218, 8TR8219는 2.4GHz(2.4GHz~2.485GHz) 대역에서 802.15.4 ZigBee®/Bluetooth®/Thread/Matter용 ISM 무선 프로토콜 시스템용 소형 다기능 Front-End RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit)다.2.2V~4.0V의 넓은 전압 범위에서 작동하며 배터리 구동 무선 시스템을 포함한 다양한 애플리케이션에 적합하도록 향상된 효율로 배터리 동작에 최적화해 있다. 8TR8218, 8TR8219는 Transmit Power Amplifier(PA), Receive Low Noise Amplifier(LNA), Single Pole Tripple throw(SP3T) Transmit Receive(T/R) Switch와 SP3T Antenna Switch, Bypass 기능이 내장된 제품으로 3.0×3.0×0.45㎜ 16 Lead QFN 패키지다.또 입력과 출력 매칭이 내장돼 있는 회로여서 추가 부품 없이 사용 가능해 고객 입장에서 제작 비용 최소화 및 소형화가 가능하다. 3.3V의 공급 전압에서 최대 +23dBm의 출력을 낸다. 8TR8218은 RX current mode 선택 기능이 있어 사용자가 이득, 전류, 잡음 지수를 선택할 수 있다. 8TR8219는 5.5mA의 낮은 RX 전류 및 1.9dB의 낮은 잡음 지수를 제공한다. 웹사이트: https://www.berex.com
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베렉스, 와이어 본딩 기술 기반 극성 선택이 가능한 디지털 전원 제어회로 특허 등록베렉스는 ‘와이어 본딩 기술을 이용해 극성 선택이 가능한 디지털 전원 제어회로’의 특허를 등록했다고 밝혔다. RF MMIC 증폭기는 라디오, 텔레비전 수신기, 무선 통신 시스템 및 레이더 시스템과 같은 다양한 전자 장치 및 시스템에서 약한 무선주파수를 증폭하거나 잡음 지수를 개선해 무선 신호를 전송할 수 있는 수준으로 처리하는 역할을 한다. 이러한 RF MMIC 증폭기는 항상 동작(on-state) 상태로 전체 시스템에서 전력 소비를 줄이거나 높은 입력과 같은 과도현상으로부터 증폭기를 보호하기에는 취약한 부분이 있다. 그래서 RF MMIC 증폭기 자체에 디지털 전원 제어회로 같은 내부 회로를 구현해 외부에서 차단 제어 핀(shutdown control pin) 제어를 통해 동작(on-stage)하거나 종료(off-state)하는 기능으로 취약한 부분을 보완할 수 있다. 예를 들어 RF MMIC 증폭기를 동작(on-state)시키기 위해서는 차단 제어 핀(shutdown control pin)에 0~0.9V 사이의 전압을 인가하는데 이 상태를 ‘액티브-로우’라고 하며, RF 증폭기를 종료(off-stage)시키기 위해서는 차단 제어 핀(shutdown control pin)에 1.17~Vd(5V) 사이의 전압을 인가하는데 이 상태를 ‘액티브-하이’라고 한다. 보통은 내부 회로인 디지털 전원 제어회로의 구성에 따라 액티브-로우 또는 액티브-하이 중의 하나로 선택되는 특징이 있다. 본 특허는 반도체 패키징 공정 시에 내부 회로인 디지털 전원 제어회로의 극성을 내부의 와이어 본딩 패드 간의 연결 상태에 따라 액티브-로우 또는 액티브-하이 중의 하나로 극성 선택이 가능한 디지털 전원 제어회로 제조 방법으로, 하나의 마스크 세트로 두 가지 제품의 기능을 할 수 있고 무엇보다 고개에게 편의성을 제공할 수 있게 됐다. ◇ 기대효과 다양한 전자 장치 및 RF 시스템에서 용도에 따라 내부의 와이어 본딩 패드 간의 연결 상태를 바꿈으로써 동일한 제품으로 액티브-로우 또는 액티브-하이 기능을 선택할 수 있다.이 기능을 활용함으로써 시스템의 전체 전력 소비를 줄이거나 높은 입력과 같은 과도현상으로부터 증폭기를 보호할 수 있는 기능을 추가하고, 시스템에서 RF MMIC 증폭기의 응용 범위를 넓혀 약한 무선주파수를 증폭하거나 잡음 지수를 개선하는 기존 RF MMIC 증폭기보다 부가가치를 창출할 수 있다. ◇ 활용방안 본 기술로 상용화된 RF MMIC 증폭기는 액티브-로우로 동작하는 경우가 많지만, 시스템 조건상 액티브-하이의 동작을 원하는 고객에게 전원부 관련해 별도의 수고를 줄일 뿐만 아니라 사이즈 축소 및 제조단가 하락으로 경쟁 우위의 제품을 출시할 수 있다. 웹사이트: https://www.berex.com/
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베렉스, 5G 무선통신 장비용·광대역·고선형 ‘MCM’ Series 개발 성공베렉스가 동작 주파수 5MHz ~ 4GHz에서 광대역의 우수한 이득 평탄도의 RF DSA(Digital Step Attenuator)와 AMP(Amplifier)가 결합된 DVGA(Digital Variable Gain Amplifier) MCM(Small Multi Chip Module) 제품 ‘BVA518C’를 출시했다. 특히 이 제품은 회로 설계 및 반도체 공정 모두 국내 순수 독자 기술로 개발된 제품이다. DVGA는 낮은 RF 신호를 증폭뿐 아니라 외부에서 Serial 또는 Parallel Interface를 이용해 0.5dB 단계로 이득 조절 범위가 31.5dB까지 가능하며, Power-Up 시 자동으로 최대 감쇠 모드로 설정이 돼 고객의 장비 보호가 가능하다. 또한 모든 단계별 정확도는 ±(0.25+2.5%xATT) @ 40MHz-1GHz /±(0.25+3.0%xATT) @ 1-3GHz / ±(0.25+3.5%xATT) @ 3-4GHz로 미세한 조절이 가능하다. 장점으로는 무선 통신 시장에서 사이즈를 최소화하기 위해 DSA(Digital Step Attenuator)와 AMP(Amplifier)를 QFN 4mmx4mm 패키지(Package)로 사용하므로 기존 DSA와 AMP 동시 사용자에게 장비의 크기를 줄일 수 있다는 장점이 있다. 또한 IF(중간 주파수: 5MHz) 대역부터 4GHz 대역까지 광대역 사용이 가능해, 5G 주파수를 수용할 수 있어 다른 제품과 비교해 경쟁 우위에 있다. DVGA ‘BVA518C’ 제품은 5G Band로 많이 사용되는 3.5GHz 대역에서 고이득 15dB과 선형성(OIP3: >28.0dBm, OP1dB: >15.0dBm)을 확보해 고선형성 애플리케이선 제품에 적용할 수 있어 5G와 4G, 3G 이동통신 시장에서 널리 사용될 것으로 기대된다.신제품은 MSB(Most Significant Bit) 입력 시 발생하는 오버슈트(Overshoot)를 약 95% 정도를 개선함으로써 Glitch 잡음에 의해 무선통신 장비에서 발생하는 고출력 증폭기가 죽는 현상과 칩의 오 동작·안정성을 개선했다. 이 기술은 독자적인 기술로 특허 등록(10-1838958, 10-2341166)됐다. 국내 시장 규모 자체는 크지 않지만 5G, 4G, 3G용 광대역 DVGA 제품 라인업을 통해 베렉스는 이동통신 부품 회사로 전문성을 강화하고 독자 기술을 통한 제품화로 업계의 기술 리더로 인정받게 됐다. 이번 성과를 계기로 5G 해외 Macro, Micro, Small Cell 이동통신 장비 시장으로 수출 증대 및 독자 기술 제품화에 따른 원가 개선 효과를 기대하고 있다. 웹사이트: https://www.berex.com
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베렉스, 2500-7000MHz 광대역 무선통신용 저잡음 증폭기 ‘BLB28’ 개발베렉스는 갈륨비소(GaAs) 기반의 Enhancement mode pHEMT 기술을 적용해 2500-7000MHz 대역에서 무선통신에 적합하며, 기존 제품 BLB04보다 Gain을 4.9GHz에서 5dB 개선한 저잡음용 증폭기 BLB28을 출시했다. BLB28는 내부에 50ohm으로 정합돼 있으며, RoHS2 규정을 만족시키며 DFN 8L 2x2㎟ surface mounting package를 사용한다. 또 기존 제품보다 Gain이 높고, 사용 대역도 7GHz까지 사용할 수 있다. 베렉스 마케팅팀 신헌수 부장은 “BLB28은 고속의 전원 온-오프(on-off) 성능이 요구되는 TD-LTE 및 TD 5G NR 통신이 가능하고 4GHz 이상에서 이득을 높이는 제품을 목표로 개발됐다”며 “기존 제품인 BLB04보다 사용 주파수 대역을 7GHz까지 확대했으며 이득을 높였고, P1 높은 것이 장점”이라고 설명했다. 5V의 동작전압과 52mA의 동작전류에서 사용 시 4.9GHz에서 특성은 20.7dB의 이득, 31.5dBm의 출력 선형성(OIP3), 19.6dBm의 출력 전력(P1dB) 및 5G NR 신호에 대한 출력 8.2dBm에서 -50dBc의 ACLR(자기 채널 전력과 인근 채널의 누설 전력 차이 비율)을 보이고, 0.8dB의 낮은 잡음 지수 성능 및 Max input power가 30dBm까지 가능하다. 또 국내 및 해외 5G용 사용 주파수인 2.5~5GHz에서도 우수한 특성이 있다. 앞으로 Gain이 더 높은 2stage 제품, 600M~6GHz 전체 사용 가능한 제품 및 Bypass 기능이 적용된 LNA 등도 출시 예정이다. 현재는 대부분 5G용 기지국 및 중계기 등의 이동통신 시스템용 부품은 대부분 수입에 의존하고 있으나, 이번 제품의 국산화 개발을 통해 5G 이동통신 시스템용 부품의 및 수입 대체 등의 기대 효과가 따를 것으로 생각된다. 베렉스는 이동통신용 갈륨비소, 갈륨질소(GaN), 실리콘-게르마늄(SiGe) 및 Si-CMOS 기술을 이용해 5G용 부품을 개발해 세계 정상급 이동통신용 반도체 회사 진입 목표를 갖고 있다. 베렉스 소개 베렉스는 이동통신용 화합물 반도체를 기획, 개발, 생산, 판매하는 전문 벤처 기업으로 2004년 출범했다. 통신 기지국에서 활용하는 무선통신 반도체(RFIC) 분야 특허를 다수 확보해 기술력으로 낮은 인지도를 극복하고 사업 영역을 넓혀오고 있다. 2007년 이후 매년 수익을 창출해 무 차입 경영을 진행하고 있다. 2008년 미국 캘리포니아 새너제이에 100% 자회사 ‘BeRex, Inc.’를 설립해 미국 레이더 위성통신장비 시장에 진입했으며, 2019년에는 캘리포니아 Octotech을 인수해 IoT용 반도체를 개발·생산·판매하고 있다 현재는 화합물 반도체 외에 실리콘-게르마늄(SiGe) 반도체, 실리콘 절연막(Silicon-on-Insulator) 반도체 기술을 이용해 제품 및 시장 다변화를 하고 있다. 베렉스는 서울, 미국 샌타클래라와 산타아나 3곳에 연구소를 운영하고 있다. 베렉스는 현재 19개 제품군과 177개의 제품을 판매하고 있으며, 전 세계 22개국 수출 및 530명 고객을 확보한 경영, 기획 및 기술 혁신형 벤처기업이다. 웹사이트: https://www.berex.com/
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베렉스, 5G 무선통신 장비용 고격리도 RF 스위치 SPDT-시리즈 개발 성공베렉스가 SOI RF 기술을 이용해 5G 기지국과 DAS (Distributed Antenna System) 애플리케이션 및 광범위한 무선통신 장비시장 애플리케이선에 맞춘 SPDT (Single-Pole, Double Throw) 흡수형 RF 스위치 2종(BSW6620, BSW6622)을 출시했다. 특히 이 제품은 회로 설계 및 반도체 공정 모두 국내 순수 독자 기술로 개발된 제품으로, SOI (Silicon on Insulator) RF CMOS 공정기술을 이용해 무선 구간에서 업스트림(Upstream), 다운스트림(Downstream)을 스위칭하는 컴팩트한 사이즈(4mmx4mm)의 고격리(특허 등록) 와이드밴드 고선형 제품이다. BSW6620, BSW6622는 5G 무선통신 시스템에 적합한 흡수형 RF 스위치(Switch) 제품으로 스위치를 끄면, 스위치가 내부에서 50Ω으로 연결돼 무선통신 애플리케이션에서 안정성을 높여 사용할 수 있다. BSW6620, BSW6622는 5MHz~8000MHz 주파수 범위, 2.7~5.5V 전압 범위로 작동되며 SPDT 흡수형 제품으로 스위치를 끄면 시스템 내부에서 임피던스 정합(50Ω)이 되므로 반사형보다 안정성이 우수해 5G 기지국 & DAS (Distributed Antenna System) 애플리케이션 및 광범위한 무선통신 장비시장 애플리케이션에서 사용성이 높다. 고선형 설계 기술(BSW6620: IP1dB 35.7dBm@3.5GHz, IIP3 68dBm@3.5GHz / BSW6622: IP1dB 36dBm@3.5GHz, IIP3 64dBm@3.5GHz)이 적용돼 5G BTS & DAS (Distributed Antenna System) 애플리케이션 제품에 사용 가능하고, 5G 주파수인 3.5GHz, 4.9GHz 동시 사용이 가능한 미래 지향적 제품이다. BSW6620, BSW6622은 스위칭 시 일정한 임피던스 성능으로 핫 스위칭 내구성이 뛰어나고, 위상 및 진폭 변화가 적어서 업스트림과 다운스트림(Upstream/Downstream)에 있는 PA 및 ADC와 같은 민감한 장치의 손상을 최소화할 수 있다. 제품 내부에 ESD (Electrostatic Discharge) 보호회로 설계 기술이 적용돼 모든 입출력 핀이 ±1500V(BSW6622), ±2500V(BSW6620)까지 정전기에 안전하며, 동작 온도 -40℃~+105℃ 범위에서 안전하게 사용할 수 있어 아웃도어 시스템 설계에 적합한 제품이다. 컴팩트한 사이즈(4mmx4mm)에 고주파수 영역에서 높은 수준의 격리도(BSW6620: 60dB(RFc-RFx), 52dB(RFx-RFx) @3.5GHz, BSW6622: 58dB(RFc-RFx), 67dB(RFx-RFx) @3.5GHz) 제품으로 세계 최고 수준의 성능을 갖추고 있다. 이 기술은 특허 등록(10-1874525, 10-2034620, 10-2195772)됐으며, 베렉스는 독자적인 기술을 보유한 기술 중심의 RF 세미콘덕터(Semiconductor) 전문 회사가 됐다. 특히 높은 격리도는 고성능 무선통신 시스템에서 스위치 숫자를 줄여서 비용을 최소화할 수 있는 장점이 크다. 현재는 5G 무선통신 장비용 RF 스위치는 수입에 의존하고 있으며, 이번 국산화 개발을 통해 5G BTS & DAS 애플리케이션 시장부터 확대될 것으로 기대된다. 이번 성과를 계기로 베렉스는 무선통신 시장의 글로벌 회사에 진입이 기대되며, RF Switch 분야에 수출 증대가 가능하게 됐다고 밝혔다. 베렉스는 고격리 특허 기술을 이용해 5G 기지국, DAS용 흡수형 SP4T, SP5T, SP6T, SP8T, SP12T까지 제품을 확장해 세계 정상급 RF 세미콘덕터 회사로의 진입 목표를 갖고 있다. 베렉스 개요 베렉스는 무선통신용 화합물 반도체를 마케팅, 개발, 생산, 판매하는 전문 벤처 기업으로 2004년 출범했으며, 2007년 이후 매년 수익을 창출해 무 차입 경영을 실시하고 있다. 2008년 미국 캘리포니아 산호세에 100% 자회사 ‘BeRex, Inc.’를 설립해 미국 레이더 위성통신장비 시장에 진입했으며, 현재는 화합물 반도체외에 실리콘-게르마늄(SiGe) 반도체, 실리콘 절연막(Silicon-on-Insulator) 반도체 기술을 이용해 제품 및 시장 다변화를 하고 있다. 또한 전 세계 20개 국가에 수출 및 492개 고객을 확보한 경영, 마케팅과 기술 혁신형 벤처기업이다. 웹사이트: https://www.berex.com/
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베렉스, BD4526 2700-6000MHz 광대역 2-Way SMT 파워 디바이더 출시칩 설계 기업 베렉스가 GaAs HBT 기술로 2700-6000MHz 대역에서 5G 통신에 적합하고, Isolation 성능이 우수한 2-way용 분배기 ‘BD4526’을 출시했다. BD4526은 외부 매칭(matching) 소자가 필요 없이 사용할 수 있도록 내부에 50ohm으로 매칭돼 있으며, ROHS2 규정을 만족하며, QFN 12Lead 3x3mm2 surface mounting package를 사용한다. 기존에 4GHz까지 사용했던 제품을 사용 주파수의 범위도 넓게 개선했다. 신헌수 마케팅 부장은 “BD4526은 TD-LTE 및 TD 5G NR 통신을 목표로 개발됐다”며 “기존 제품인 BD3526보다 2GHz 이상 사용 주파수 범위를 높였고, 국내 및 해외 5G 주파수까지 사용 가능하게 제작됐다”고 말했다. ◇ BD4526 특성 및 성능 ·3.6GHz에서 특성: 0.8dB Loss, 28.5dB Isolation, 0.02dB Phase Balance, 1.2deg Amplitude Balance 성능 ·4.5GHz에서 특성: 0.7dB Loss, 32.5dB Isolation, 0.02dB Phase Balance, 1.4deg Amplitude Balance 성능 ·5.8GHz에서 특성: 0.9dB Loss, 17.5dB Isolation, 0.02dB Phase Balance, 1.7deg Amplitude Balance 성능 현재는 대부분의 5G용 기지국 및 중계기용 부품을 수입에 의존하고 있으며, 이번 국산화 개발을 통해 5G 시장부터 국산화가 확대될 것으로 기대된다. 베렉스는 RF용 갈륨비소, 갈륨질소, 실리콘-게르마늄 및 CMOS 기술을 이용해 5G용 부품을 개발, 세계 정상급 RF Semiconductor 회사 진입 목표를 갖고 있다. 베렉스 개요 베렉스는 무선통신용 화합물 반도체를 마케팅, 개발, 생산, 판매하는 전문 벤처 기업으로 2004년 출범했다. 2007년 이후 매년 수익을 창출해 무 차입 경영을 하고 있다. 2008년 미국 캘리포니아 산호세에 100% 자회사 `BeRex, Inc.`를 설립해 미국 레이더 위성통신 장비 시장에 진입했으며, 현재는 화합물 반도체 외에 실리콘-게르마늄(SiGe) 반도체, 실리콘 절연막(Silicon-on-Insulator) 반도체 기술을 이용해 제품 및 시장 다변화를 하고 있다. 또 전 세계 20개 국가에 수출 및 492개 고객을 확보한 경영, 마케팅과 기술 혁신형 벤처 기업이다. 웹사이트: https://www.berex.com/